Perfil de Qin Guogang

Él y el grupo de investigación que dirigió han logrado logros sistemáticos y creativos en los campos de las impurezas y defectos de los semiconductores y el silicio poroso y la luminiscencia del óxido de silicio con incrustaciones de nanosilicio, tales como: irradiación de neutrones del silicio que contiene hidrógeno. Los defectos estructurales que contienen hidrógeno se detectaron a un nivel de energía profundo de 0,20 eV por debajo de la banda de conducción. Fue el primero en el mundo en revelar la existencia de centros profundos que contienen hidrógeno en el silicio. La microestructura propuesta fue confirmada por. experimentos descubrieron que se descubrieron varios defectos de irradiación con temperaturas de desaparición de recocido originalmente diferentes. Se vuelve esencialmente el mismo en el silicio hidrogenado, el primero en revelar que el hidrógeno puede afectar significativamente la altura de la barrera Schottky; Los parámetros medidos del nivel de energía profunda del cobre en silicio son adoptados por monografías de datos de semiconductores autorizadas a nivel internacional. En 1993, propuso un modelo de centro de luminiscencia de confinamiento cuántico para fotoluminiscencia de óxido de silicio incrustado en silicio poroso y nanosilicio, que explicó con éxito una gran cantidad de experimentos y recibió un amplio apoyo al fenómeno de electroluminiscencia del centro de luminiscencia de óxido de silicio en un p-; Se observó por primera vez un sustrato de Si.

Sobre esta base, se han diseñado y desarrollado una serie de nuevas estructuras electroluminiscentes basadas en silicio, tales como: película de oro translúcido/nano (SiO2/Si/SiO2) doble barrera de un solo pocillo/p-Si, etc. . La longitud de onda de la luminiscencia se extiende desde el infrarrojo cercano hasta el ultravioleta cercano. El modelo de mecanismo de electroluminiscencia propuesto ha sido ampliamente citado.