¿Qué significa mosfet?
mosfet significa transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico.
1. Mosfet es la abreviatura del inglés MetalOxide SEMIcoductor FiELD Effect Transistor, que se traduce al chino como "transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico".
2. Es un dispositivo fabricado con tres materiales: metal, óxido (SiO2 o SiN) y semiconductor. El llamado MOSFET de potencia se refiere a un dispositivo que puede generar una gran corriente operativa (de varios amperios a decenas de amperios) y se utiliza en la etapa de salida de potencia.
3. MOSFET*** tiene tres pines, generalmente G, D y S. Cuando se agrega una señal de control entre G y S, la conducción y el corte entre D y S se pueden cambiar.
4. Power MOSFET es un dispositivo de control de voltaje unipolar multiconductor con velocidad de conmutación rápida, buenas características de alta frecuencia, excelente estabilidad térmica, circuito de accionamiento simple, baja potencia de accionamiento y funcionamiento seguro. Ventajas como área amplia y sin problemas de avería secundaria.
Ejemplos bilingües de mosfet:
1. El diseño cuasi resonante de 800 V con un pico de corriente más bajo y un voltaje de fuente de drenaje más bajo durante el encendido del MOSFET demuestra ventajas en los espectros EMI conducidos. con respecto al lado primario.
Un diseño cuasi-resonante de 800 voltios con corriente máxima más baja y voltaje de encendido de fuente de drenaje del transistor de efecto de campo demuestra la ventaja de una interferencia electromagnética conducida del lado primario reducida.
2. Una mayor amplitud de la oscilación da como resultado un nivel de voltaje de fuente de drenaje más bajo al cual el MOSFET activa pérdidas de conmutación correspondientemente menores y una mayor eficiencia del sistema.
Mayor amplitud La oscilación del valor da como resultado una menor amplitud de voltaje de encendido de la fuente de drenaje del transistor de efecto de campo, lo que resulta en menores pérdidas de conmutación y una mayor eficiencia del sistema.
3. Para la generación de pulsos de nanosegundos de ancho, se desarrolla un diseño utilizando un interruptor MOSFET. Los resultados de la simulación y el experimento del circuito muestran la viabilidad del diseño. >Para la parte clave de la generación de pulsos estrechos de nivel de nanosegundos, el diseño se implementa utilizando MOSFET y la solución se verifica mediante simulación y pruebas de circuitos.