Parámetros del transistor de efecto de campo Skd502t

Los parámetros del FET SKD502T son los siguientes:

1, Modelo: SKD502T, Tipo: Corriente de drenaje FET de canal N (ID): temperatura de la caja (Tc) = 120 a 25 °C.

2.a Voltaje de drenaje y fuente (VDSS): 85 V Resistencia de drenaje y fuente (RDS (ON)): 0,0055 ω Consumo total de energía (Ptot): 174 W Temperatura del paquete (Tc) = 25 ℃ Paquete: TO-220.

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