La historia del desarrollo de Hynix
Sobre las 15:30 horas del 4 de septiembre de 2013, se produjo un incendio en la fábrica de Wuxi Hynix. Se desconoce la causa.
2065 438 En febrero de 2002, el tercer chaebol más grande de Corea del Sur, SK Group, adquirió Hynix y cambió su nombre a SKhynix.
En mayo de 2009, se estableció la cooperativa del proyecto de seguimiento de Wuxi en China.
En abril, el mundo tomó la iniciativa en el desarrollo de DRAM DDR 2 de 1 GB para dispositivos móviles de bajo consumo y alta velocidad.
En marzo, se lanzó la primera certificación de producto DDR3 R-DIMM de 8 GB y 2 rangos del mundo.
En febrero se desarrolló por primera vez en el mundo la DRAM DDR3 de 44 nm.
065438 En octubre, Intel se convirtió en la primera empresa del mundo en obtener la certificación de producto DDR3 de ultra alta velocidad basada en módulos de servidor ECC UDIMM de 4 GB.
Junio 5438 En febrero de 2008, el mundo tomó la iniciativa en el desarrollo de DRAM móvil de 2 Gb.
165438 En octubre lanzó la tarjeta gráfica DRAM GDDR5 de 7 Gbps y 1 Gb de mayor velocidad de la industria.
En agosto, se completó la planta de ensamblaje de 300 mm de la fábrica número 3 de Qingzhou.
Lanzamos el primer kR-DIMM de 2 ranuras y 16 GB del mundo que utiliza tecnología MetaRAMtm.
Los esfuerzos de Numonyx y Hynix para introducir productos y tecnologías de memoria flash NAND nuevos e innovadores se han ampliado.
En mayo, firmamos una enmienda con ProMOS para fortalecer la cooperación estratégica a largo plazo.
En abril, el Consejo de la UE acogió con satisfacción las medidas para eliminar los aranceles sobre la DRAM de Hynix y desarrollar el LPDDR2 móvil de mayor velocidad del mundo.
En febrero se lanzaron dos columnas de 8GB DDR 2RDMM.
065438 Se firmó un contrato de cooperación de programa de acuerdo * * * con R: D en octubre.
En 2008, se lanzó la certificación de producto UDIMM de 1 GB/2 GB de 00 MHz.
5438 de junio de 2007 En febrero, se emitieron con éxito billetes convertibles globales.
165438 En octubre, la OMC dictaminó que los aranceles de represalia de Hynix sobre los chips importados estaban relacionados y Japón perdió el caso. Firmó un acuerdo de cooperación comercial CIS con SiliconFile Company y obtuvo la certificación de producto Intel para DRAM DDR2 de 1 Gb. El primer desarrollo de la industria de DRAM GDDR5 de 1 Gb.
En junio de 2010 se firmó un contrato de licencia y tecnología PRAM con la empresa Ovonyx y un contrato de cooperación en gestión ambiental con la Environmental Movement Alliance (Corea del Sur).
En septiembre, se utilizaron 24 chips apilados para desarrollar NAND flash MCP por primera vez en el mundo.
En agosto, desarrollamos la DRAM móvil de 1 Gb más rápida y pequeña de la industria.
En julio se anunció el plan maestro a medio y largo plazo de la empresa.
En mayo, la industria tomó la iniciativa en la obtención de la certificación de producto Intel para DRAM DDR3.
En abril, DOC H3 comenzó la producción en masa y comenzó la construcción de una fábrica de 300 mm en Cheongju, Corea del Sur, para lograr el más alto nivel de márgenes de beneficio operativo.
En marzo, se desarrolló la DRAM móvil ECC más rápida del mundo y se anunció la "etiqueta ecológica" Toshiba firmó un contrato de licencia y suministro para franquiciados de semiconductores.
Llegó a un acuerdo con SanDisk sobre el contrato de licencia comercial autorizado y firmó un memorando de entendimiento (MOU) con x4 Technology sobre el establecimiento de una empresa cooperativa. Kim Jong-ja se convierte en el nuevo director representativo y presidente.
En octubre de 065438, se desarrolló con éxito un módulo de memoria de ultra alta velocidad basado en tecnología de "envasado a nivel de oblea".
Alcanzó el mayor rendimiento y beneficio en 2006.
Junio 5438 En febrero de 2006, la industria anunció por primera vez el módulo básico DDR2 de 800 MHz de 60 nm y 1 Gb y desarrolló la DRAM móvil de 200 MHz y 512 MB de mayor velocidad del mundo.
65438 logró los resultados más altos desde su creación en octubre y estableció una red de producción internacional mediante la finalización de Hynix ST Semiconductor (fábrica).
La línea de producción de investigación de 300 mm salió de la línea de producción en septiembre.
En marzo, la industria tomó la iniciativa en la obtención de la certificación de producto para la DRAM DDR2 de 80 nm y 512 Mb de Intel.
01 lanzó el mismo plan de desarrollo que DOC H3*** de M-Systems (un nuevo DiskOnChip integrado en una unidad flash).
Junio 5438 En febrero de 2005, se desarrolló por primera vez en el mundo 512Mb GDDR4, la DRAM gráfica de mayor velocidad y densidad de la industria.
165438 En octubre, la industria lanzó por primera vez el estándar JEDEC de 8 GB DDR2 R-DIMM.
En julio me retiré del “Acuerdo de Reorganización y Mejora Societaria” antes de lo previsto.
En abril, Hynix-STMicroelectronics Co., Ltd. celebró una ceremonia de inauguración en Wuxi, Jiangsu, China.
En marzo se publicaron las cuentas anuales del año 2004, consiguiendo elevados beneficios en ventas.
065438 Firmó un acuerdo de asociación estratégica con Taiwan Promotech Technology en octubre.
En junio de 2004, del 165 al 38 de octubre, firmamos un acuerdo con STMicroelectronics para establecer una fábrica conjunta en China.
En agosto, se firmó un acuerdo de cooperación con la ciudad de Wuxi, provincia de Jiangsu, China, para construir una fábrica en China.
En julio, la empresa logró su mayor beneficio operativo trimestral desde su creación.
En junio firmamos un acuerdo de transferencia de derechos de operación comercial sin memoria.
En marzo, la industria desarrolló por primera vez DDR SDRAM 550 MHz 1g DDR 2 SDRAM de velocidad ultraalta y obtuvo la certificación Intel.
La memoria flash NAND se desarrolló con éxito en febrero.
Junio de 2003 5438 En febrero, se anunció que había firmado un memorando de entendimiento estratégico a largo plazo con PromMOS.
En agosto se anunció que se lanzaría la primera DDR2 de 1 Gb lanzada por la industria DRAM.
En julio se anunció el estreno mundial de DDR500.
En junio, el producto 512M DDR400 recibió la certificación Intel por primera vez en la industria DRAM.
En mayo, utilizando tecnología de proceso de 0,10 micrones, se puso en producción en masa SDRAM de 256 Mb de consumo de energía ultrabajo.
En abril anunció que había firmado un acuerdo con STMicroelectronics para producir memoria flash NAND.
En marzo se lanzó la primera FeRAM ultragrande comercial del mundo.
En junio de 2002, HYDIS vendió la unidad de negocio TFT-LCD 065438 en octubre.
5438 de 0,10μm y 512MB DDR desarrollado en junio de 2000.
En agosto, se desarrolló por primera vez en el mundo una SDRAM DDR de banda ancha de alta densidad de 256 MB.
En junio, clientes globales de alto nivel utilizaron por primera vez 256 MB de SDR SDRAM.
Módulo DRAM DDR 1G desarrollado en marzo.
Agosto de 2006 5438 0 Desarrolle la SDRAM DDR de 128 MB más rápida del mundo.
La separación definitiva del Grupo Hyundai se completó en agosto.
En julio, se vendió el negocio de fabricación de equipos de comunicaciones móviles CDMA "Hyundai Sycomm".
En mayo de este año se desinvirtió el negocio de servicios de comunicaciones "Hyundai Curitel".
Separación del negocio de redes "Modern Networks"
En marzo, la empresa cambió su nombre a Hynix Semiconductor Co., Ltd.
En agosto de 2000, se escindió el negocio de venta de displays "Modern Image Discovery".
En abril de este año se escindió la empresa de diseño de circuitos electrónicos "Hyundai Autonet".
1999 Octubre Se fusiona con LG Semiconductor Co., Ltd. para formar Hyundai Semiconductor Co., Ltd.
Vendió Professional Semiconductor Assembly Company (ChipPAC) en marzo.
Se desarrolló 64M DDR SDRAM en septiembre de 1998
En mayo de 1997, se desarrolló 1G SDRAM por primera vez en el mundo.
1996 12 Se cotizan las acciones de la empresa.
La FAB III fue terminada el 11 de junio de 1989.
Desarrollé 4M DRAM en septiembre.
1988 165438 En octubre se estableció una empresa local (HEE) en Europa.
065438 Desarrollado 1M DRAM en Octubre
Junio de 1986 Se realizó la primera exposición cultural para empleados "Ami Carnical".
En abril se creó el Instituto de Investigación de Semiconductores.
En octubre de 1985 se inició la producción en masa de 256K DRAM.
FAB II-A se completó en septiembre de 1984.
Modern Electronics Co., Ltd. se fundó en febrero de 1983. La empresa esperaba brevemente con interés su negocio principal. Gestión sustentable, informe de gestión sustentable, declaración de gestión ética, sistema de prácticas de introducción de la organización del plan de gestión ética, política de seguridad industrial, declaración en línea del logotipo de la empresa.